IGBT和 MOSFET有什么区别?

IGBT可以提供很大的功率、电流和电压，但是频率并不太高。 目前的IGBT硬开关速度可以达到100KHZ，已经不错了。 但是，相对于MOSFET的工作频率来说还是杯水车薪，MOSFET可以工作到几百KHZ、MHZ，甚至几十MHZ的射频产品。 MOSFET 是一个三端（栅极、漏极和源极）全控开关。 栅极/控制信号发生在栅极和源极之间，其开关端为漏极和源极。 栅极本身由金属制成，使用金属氧化物与源极和漏极分开。 这可以减少功耗，并使晶体管成为用作电子开关或共源放大器的绝佳选择。 为了正常工作，MOSFET 必须保持正温度系数。 这意味着几乎没有热失控的机会。 通态损耗较低，因为理论上晶体管的通态电阻没有限制。 此外，由于 MOSFET 可以在高频下工作，它们可以执行快速开关应用而关断损耗很小。

什么是 MOSFET?

MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。 MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。 有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。 1）、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。 2）、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。 MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。

在低电流区域中,MOSFET的导通电压低于IGBT吗?

在低电流区域中，MOSFET的导通电压低于IGBT。 但在高电流区域中，IGBT的导通电压则低于MOSFET，特别是在高温条件下。 IGBT通常以低于20kHz的开关频率使用，因为其开关损耗大于单极MOSFET。 (*1) 内置电压是器件固有的阈值电压。

IGBT是什么?

金誉是一家面向全球提供半导体产品与服务的国家级高新技术企业。 关注 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)是 绝缘栅双极型功率管 的简称，是由BJT (双极型三极管)和MOS (绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 是一种三端半导体开关器件，兼有 MOSFET 的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，可用于多种电子设备中的高效快速开关。 功率晶体管（GTR）饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。 IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。